专利详情

专利名称	一种半导体设备中黑色Y₂O₃陶瓷涂层制造方法
申请号	CN201110396482.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103132003A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	邵花;王文东;刘邦武;夏洋;李勇滔
主分类号	C23C4/10(2006.01)I	IPC主分类号	C23C4/10(2006.01)I
专利有效期	一种半导体设备中黑色Y₂O₃陶瓷涂层制造方法至一种半导体设备中黑色Y₂O₃陶瓷涂层制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法。所述半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，并且在所述进行等离子喷涂时向等离子焰流中通入H2，制备出黑色Y2O3陶瓷涂层。本发明以Ar/H2为喷涂气体并在等离子焰流中加入H2，使熔融的Y2O3粉末与之发生还原反应，使Y2O3粉末变黑。

交易流程

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4、专员跟进，交易保障

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