专利详情

专利名称	一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法
申请号	CN201110393374.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103130229A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	吴立冬;卢宪波;苏凡;陈吉平
主分类号	C01B33/12(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法至一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明提供了一种多级孔道的二氧化硅纳米材料及其制备方法。其特征是该材料为近球形形貌，直径在50-250nm之间，比表面积在500-1000m2/g之间；材料具有两种不同的孔道：一种为蠕虫状或近六方结构的介孔主孔道，孔径在2-3nm之间，另一种为位于材料球体中心或均匀分散在球体内的囊泡形孔道，孔径在5-50nm之间，两种孔道相互连通。该材料的制备采用“两步法”，首先在传统的溶胶-凝胶过程中添加适量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，得到二氧化硅胶体颗粒，再利用伪晶转化技术得到多级孔道材料，制备条件温和，工艺简单可控。