专利详情

专利名称	一种晶圆级阳极键合方法
申请号	CN201110395020.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103130180A	公开（授权）日	2013.06.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗巍;解婧;张阳;李超波;夏洋
主分类号	B81C3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	一种晶圆级阳极键合方法至一种晶圆级阳极键合方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种晶圆级阳极键合方法。所述晶圆级阳极键合方法，包括如下步骤：将待键合的硅或金属样片和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗；将清洗后的硅或金属样片和玻璃样片吹干，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压到单点阴极，使贴合后的硅和玻璃发生第一次阳极键合；将第一次阳极键合后的样片，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压和压力到平板阴极，使第一次键合后的样片中未键合部分全部完成键合。本发明使用两步键合的方法，能够实现大面积、键合界面无气泡的高质量、高效率的阳极键合，工艺过程简单，可控性强。