一种SRAM存储器
- 申请号:CN201320326372.4
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN203276858U
- 公开(公开)日:2013.11.06
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种SRAM存储器 | ||
申请号 | CN201320326372.4 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN203276858U | 公开(授权)日 | 2013.11.06 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘鑫;赵发展;韩郑生 |
主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
专利有效期 | 一种SRAM存储器 至一种SRAM存储器 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型公开了一种SRAM存储器,包括:第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第一至第四P型MOS管;其中,第一N型MOS管与第一P型MOS管形成第一反相器,第二N型MOS管与第二P型MOS管形成第二反相器;第五N型MOS管与第一N型MOS管并联,第六N型MOS管与第二N型MOS管并联;第一P型MOS管与第三P型MOS管并联,第二P型MOS管与第四P型MOS管并联;第三MOS管和第四MOS管的栅极与字线信号相连,第三MOS管的漏极与位线信号相连,第四MOS管的漏极与位线非信号相连,第三MOS管的源极与第一存储节点相连,第四MOS管的源极与第二存储节点相连。本实用新型降低了分压电阻,从而提升了静态噪声容限。 |
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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