一种SRAM存储器
- 申请号:CN201320332576.9
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN203276859U
- 公开(公开)日:2013.11.06
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种SRAM存储器 | ||
申请号 | CN201320332576.9 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN203276859U | 公开(授权)日 | 2013.11.06 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘鑫;赵发展;韩郑生 |
主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
专利有效期 | 一种SRAM存储器 至一种SRAM存储器 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型公开了一种SRAM存储器,包括:第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一至第八N型MOS管;其中,所述第一P型MOS管、所述第三N型MOS管、所述第二P型MOS管与所述第四N型MOS管构成存储单元;所述第一、第二N型MOS管构成开关电路;所述第五至第八N型MOS管构成独立的读取电路;从而形成在存储单元外完成读取操作,避免了存储单元内的放电通路造成的存储点电位降低,导致静态噪声容限降低,从而维护了SRAM存储器的稳定性。 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障
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