专利详情

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210135857.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103383962A	公开（授权）日	2013.11.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;徐秋霞;陈大鹏
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制造方法至半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底；栅堆叠，位于所述衬底之上，至少包括栅介质层和栅电极层；源/漏区，位于栅堆叠两侧的衬底中；STI结构，位于源/漏区两侧的衬底中，其中取决于所述半导体结构的类型，所述STI结构具有的剖面形状为正梯形、Sigma形或者倒梯形。相应地，本发明还提供了形成该半导体结构的制造方法。本发明可以不同形状的STI结构结合不同应力填充物对沟道横向产生不同的张应力或者压应力，由此分别对NMOS的电子迁移率和PMOS的空穴迁移率产生正面影响，增加器件的沟道电流，从而有效地提高了半导体结构的性能。