半导体结构及其制造方法
- 申请号：CN201210135261.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103383914A
- 公开(公开)日：2013.11.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210135261.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103383914A | 公开（授权）日 | 2013.11.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董立军;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。通过沟道重建使得源/漏区（110）位于侧墙（240）两侧的部分的顶部高于栅堆叠结构和侧墙（240）的底部，并且所述源/漏区（110）在所述栅堆叠结构和侧墙（240）的底部之下横向扩展超过侧墙（240），达到所述栅堆叠结构的正下方，从而获得抬高源漏MOSFET。本发明大量减少工艺步骤，提高效率并降低成本。 | ||
交易流程
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