专利详情

专利名称	宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器
申请号	CN201310310884.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103383977A	公开（授权）日	2013.11.06
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	张志伟;缪国庆;宋航;蒋红;黎大兵;孙晓娟;陈一仁;李志明
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器至宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，属于光电子材料与器件领域，解决了现有InGaAs红外探测器由于晶格失配产生缺陷，导致探测器性能明显下降的问题。本发明的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，包括依次生长在GaAs衬底上的缓冲层、吸收层和盖层，所述缓冲层为掺Si的InAsP，厚度为0.5-1.5μm，所述吸收层为低掺杂Si的In0.82Ga0.18As，厚度为2.5-3.5μm，所述盖层为掺Be的InAlAs，厚度为0.5-1.5μm。本发明的红外探测器具有高量子效率、高探测率，能够满足正面进光、背面进光及倒扣封装结构。