专利详情

专利名称	HEMT器件及其制造方法
申请号	CN201110364028.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103117221A	公开（授权）日	2013.05.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘果果;魏珂;黄俊;刘新宇
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	HEMT器件及其制造方法至HEMT器件及其制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率，使器件可工作于Ka波段及其以上频段，提高了器件的功率特性。