专利详情

专利名称	填充冗余金属的方法及冗余金属填充模式查找表建立方法
申请号	CN201110364853.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103116663A	公开（授权）日	2013.05.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	马天宇;陈岚;叶甜春
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	填充冗余金属的方法及冗余金属填充模式查找表建立方法至填充冗余金属的方法及冗余金属填充模式查找表建立方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及电子设计自动化和半导体工艺制造技术领域，具体涉及一种填充冗余金属的方法。所述方法首先通过对多个互连结构进行几何参数表征、填充冗余金属并在填充后进行平坦性模拟和电容提取以建立冗余金属填充模式的填充查找表，然后对电路版图进行结构单元划分并提取结构单元的几何参数，根据结构单元的几何参数查询填充查找表，获得该结构单元的冗余金属填充模式。本发明还提供一种冗余金属填充模式查找表建立方法。采用本发明进行冗余金属填充不但同时满足了平坦性要求和电容要求，而且还将工作量集中在建立填充查找表过程中，从而减小了在真实设计中进行冗余金属填充时的工作量，以加快开发速度。