专利详情

专利名称	一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法
申请号	CN201310036721.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103112816A	公开（授权）日	2013.05.22
申请（专利权）人	中国科学院大学	发明（设计）人	董刚强;刘丰珍
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法至一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。首先在单晶硅片表面覆盖周期排布的微球，并在微球的玻璃转化温度点附近进行退火；在氧气氛围下，经感应耦合等离子体刻蚀后，得到分离排布的微球阵列；采用物理气相沉积方法在单晶硅片上均匀沉积金属钛薄膜；将带有掩膜的硅片放入含有表面活性剂的碱性溶液中腐蚀，得到有序排布的金字塔阵列。本发明方法流程简单，制备周期短，工艺成熟；通过选取和微调制备模版的方法，可以得到正金字塔阵列、倒金字塔阵列和正倒金字塔组合阵列三种结构。在光伏、磁存储器件、纳米光电器件、纳米传感器、以及表面拉曼增强和表面等离子效应的等领域有着广泛的应用价值。