专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210134605.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377947A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供SOI衬底，在所述衬底上形成重掺杂埋层以及表面有源层；在所述衬底上形成栅极堆叠和侧墙；在所述栅极堆叠的一侧形成开口，所述开口贯穿所述表面有源层、重掺杂埋层并停止在所述SOI衬底绝缘埋层之上的硅膜中；填充所述开口，形成回填塞；形成源/漏区，所述源区与重掺杂埋层交叠，部分所述漏区位于所述回填塞中。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明中，所述重掺杂埋层有利于减小源/漏区耗尽层宽度，抑制短沟道效应，所述重掺杂埋层与源区交叠，形成重掺杂的pn结，有效抑制SOI?MOS器件的浮体效应，提高半导体器件性能，而且不必对体区引出，节省器件面积和成本。