专利详情

专利名称	提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法
申请号	CN201210112494.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377911A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨涛;赵超;李俊峰;侯瑞兵;卢一泓;崔虎山
主分类号	H01L21/3105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3105(2006.01)I
专利有效期	提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法至提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层，降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差；平坦化第二介质隔离层，直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层，使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低，并补偿了特征的凹陷，有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。