专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210117033.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103378129A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，夹于所述绝缘塞和所述半导体基体之间。一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成半导体基体；在所述半导体基体内形成空腔，所述空腔暴露所述半导体衬底；在所述空腔中选择性外延形成外延层；在所述空腔中形成绝缘塞。通过形成超陡的倒掺杂阱，利于减小短沟道效应。