专利详情

专利名称	半导体器件制造方法
申请号	CN201210134103.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377944A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	半导体器件制造方法至半导体器件制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区，并在硅化物与衬底之间的界面处形成第一掺杂离子分凝区；执行第二离子注入，在金属硅化物的源漏区中注入第二掺杂离子；执行第二退火，在金属硅化物的源漏区与衬底之间的界面处形成第二掺杂离子掺杂离子分凝区。通过两次掺杂注入并推进退火，在金属硅化物的源漏与硅沟道区之间的界面处形成掺杂离子的分凝区，有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻同时还提高了器件驱动能力，进一步提高器件的性能。