专利详情

专利名称	浅沟槽隔离化学机械平坦化方法
申请号	CN201210122037.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377912A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	何卫;朱慧珑
主分类号	H01L21/3105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	浅沟槽隔离化学机械平坦化方法至浅沟槽隔离化学机械平坦化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差；在绝缘层上形成共形的保护层；化学机械平坦化绝缘层以及保护层，直至露出硬掩膜层。依照本发明的浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，通过在氧化物顶部额外施加的保护层，防止了浅沟槽区域内处于谷部的氧化物被过度移除，从而有效地提高了台阶高度的均匀性。