专利详情

专利名称	用于真空电子器件的强流电子注能散测量系统及测量方法
申请号	CN201210132372.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377864A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	阮存军;吴迅雷;李庆生;李崇山;李彦峰
主分类号	H01J37/244(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/244(2006.01)I
专利有效期	用于真空电子器件的强流电子注能散测量系统及测量方法至用于真空电子器件的强流电子注能散测量系统及测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种强流电子注能散测量系统，包括真空腔体、二极铁电磁体、双狭缝铜体、YAG探测器和CCD图像采集器。真空腔体是扁平的且横截面呈矩形，其纵向与水平面平行；二极铁电磁体的两极分别安装在真空腔体的上下两面，以在真空腔体内产生垂直于水平面的均匀磁场；双狭缝铜体安装在真空腔体的内部，用于将强流电子注变成弱流电子注，并准直进入真空腔体；电子YAG探测器位于双狭缝铜体出射的电子注流偏转90度的方向上，用于探测电子注空间密度分布；CCD图像采集器用于捕捉YAG探测器上生成的电子能散图像。本发明可以测量几百至100k电子伏能量、导流系数在0.1至十几微朴的强流电子注的能散相对分辨率与能散曲线。