专利详情

专利名称	一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法
申请号	CN201210129620.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103374750A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏
主分类号	C30B23/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I
专利有效期	一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法至一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可靠固定于所述籽晶托，并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。本发明可以确保籽晶与籽晶托之间实现可靠的粘结固定，并且避免在籽晶背面涂刷粘结剂导致的不良影响，同时，籽晶中心大部分区域与籽晶托紧密接触，温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，进一步提高SiC晶体的质量。