专利详情

专利名称	电容式超声传感器芯片及其制作方法
申请号	CN201210132866.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103379392A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	俞挺;彭本贤;于峰崎
主分类号	H04R1/00(2006.01)I	IPC主分类号	H04R1/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I
专利有效期	电容式超声传感器芯片及其制作方法至电容式超声传感器芯片及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种电容式超声传感器芯片，其包括表面设有第一区域和第二区域的掺杂硅衬底；所述第一区域具有金属导电层延伸至第二区域的集成电路；所述位于第二区域的金属导电层上覆盖有附加膜，所述附加膜上覆盖有可导电的振动膜，所述附加膜中具有连接振动膜的接触通孔，所述附加膜和振动膜之间形成有空腔。上述电容式超声传感器芯片中，系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上覆盖附加膜、牺牲层及可导电的振动膜，最终制成传感器微单元，不改变现有CMOS工艺，兼容性好。此外，还涉及一种电容式超声传感器芯片的制作方法。