专利详情

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210120451.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377931A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	何卫;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制造方法至半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；图形化所述浅沟槽隔离结构(210)中的沟槽绝缘物质以及所述外延层(110)形成伪栅极；在伪栅极周围形成侧墙(310)，所述侧墙(310)的材料不同于所述沟槽绝缘物质以及所述第二半导体材料；形成覆盖整个半导体结构的层间介质层(400)；除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅；去除所述伪栅极，形成栅极凹陷(500)；在所述栅极凹陷(500)中形成栅介质层(600)以及栅电极层(610)。本发明利于降低栅极两侧表面的粗糙度。本发明还提供了根据上述方法制造的半导体结构。