专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210134597.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103377946A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底从下至上依次包括基底层、掩埋隔离层、掩埋地层、超薄绝缘埋层、表面有源层；对所述掩埋地层进行离子注入掺杂；在所述衬底上形成栅极堆叠、侧墙和源/漏区；在所述衬底上形成覆盖所述栅极堆叠和源/漏区的掩膜层，刻蚀所述掩膜层以暴露出所述源区；刻蚀所述源区以及源区之下的超薄绝缘埋层，形成暴露出所述掩埋地层的开口；通过外延填充所述开口，以形成所述掩埋地层的接触塞。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过形成掩埋地层接触塞，将掩埋地层与源区电学连接，增强了半导体器件对阈值电压的控制能力，减小了短沟道效应，提高了器件性能，同时不必对掩埋地层做单独引出，节省了器件面积，简化了工艺。