半导体结构及其制造方法
- 申请号：CN201210117019.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103377930A
- 公开(公开)日：2013.10.30
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210117019.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103377930A | 公开（授权）日 | 2013.10.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩模对半导体结构进行应力引发离子的注入，在栅极结构的两侧形成位于所述SOI衬底的BOX层之下的应力引发区。相应地，本发明还提供了一种根据上述方法形成的半导体结构。本发明提供的半导体结构及其制造方法在接地层形成应力引发区，所述应力引发区为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。 | ||
交易流程
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