专利详情

专利名称	一种多参数低功耗电流模离子敏场效应管阵列传感器装置
申请号	CN201210131972.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103376284A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	吴其松;杨海钢
主分类号	G01N27/414(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/414(2006.01)I
专利有效期	一种多参数低功耗电流模离子敏场效应管阵列传感器装置至一种多参数低功耗电流模离子敏场效应管阵列传感器装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多参数低功耗电流模离子敏场效应管阵列传感器装置，该装置包括：n×n的ISFET传感器阵列、用于选择ISFET的行列选择开关、地址译码器、用于温度和共模漂移补偿的参考晶体管REFET、正相电流传输器、反相电流传输器、电流模模数转换器ADC和电压模数模转换器DAC。通过地址选择器选中的栅极覆盖敏感膜的ISFET与栅极覆盖钝化膜的REFET形成差分对管，差分对管输出的电流差通过ADC转换为数字电压信号输出。相比电压模电路，采用电流模检测电路的本发明装置能在更低电压下工作，电路功耗更低，动态范围更大；另外，采用差分检测方式的本发明装置可以有效抑制系统装置的失调和温漂；同时，本发明装置还可以对ISFET传感器的长时间漂移等非理想特性进行有效补偿。