专利详情

专利名称	一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法
申请号	CN201210127249.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103372232A	公开（授权）日	2013.10.30
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所;东莞宜安科技股份有限公司	发明（设计）人	甘俊杰;谭丽丽;杨柯;李扬德;李卫荣
主分类号	A61L27/32(2006.01)I	IPC主分类号	A61L27/32(2006.01)I;A61L31/08(2006.01)I;C25D11/30(2006.01)I
专利有效期	一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法至一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及生物医用可降解镁基金属材料的表面改性领域，具体为一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法。本发明所获涂层的表面微观形貌区别于常规的微弧氧化涂层(多孔特征)，本发明微弧氧化放电形成的孔洞绝大部分直接被含有钙磷的物质充填，涂层致密度高，无需后续的封孔处理来提高涂层的耐蚀性。另外，无论是放电形成的多孔结构或是多孔中的充填化合物都具有同样的化学成分，表面含有的钙、磷元素的原子含量百分比分别达到了3～6％和9～15％，涂层含有的钙、磷、氟元素大大的提高了该涂层的生物活性。自封孔的特性还摒弃了一些常规微弧氧化后所需的后续封孔处理工艺，因而简单可行，具有很强的实用性，可用作各类镁植入材料的表面处理。