专利详情

专利名称	与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路
申请号	CN201320139873.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203251272U	公开（授权）日	2013.10.23
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	袁红辉;陈永平;陈世军
主分类号	H03F3/45(2006.01)I	IPC主分类号	H03F3/45(2006.01)I
专利有效期	与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路至与红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种与长波红外低阻抗光导探测器匹配的CMOS放大电路，该放大电路在输入端采用桥式电路方式，适合20欧姆到200欧姆低输入阻抗红外光导探测器信号的放大，能在液氮温度下工作。第一级双端输入单端输出差分放大器采用正负电源供电，可以使输入静态电压不受MOS管阈值电压限制。与偏置电阻和探测器对应的另一条支路采用10K欧姆与50欧姆串联，使从另一偏置输入端引入的噪声抑制比达到200倍，有利减小电路总噪声。在一定的带宽要求下为了增加前级增益降低等效输入噪声，放大器的负输入端与输出之间采用1M欧姆的反馈电阻。桥式输入方式、第一级放大器和第二级之间均采用直接连接方式，该放大器即能放大交流信号又能放大直流信号。