专利详情

专利名称	用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器
申请号	CN201320142505.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203250772U	公开（授权）日	2013.10.23
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	徐鹏霄;张可锋;李向阳;刘新智;赵水平;朱龙源;刘福浩;张立瑶
主分类号	H01L31/112(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/112(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器至用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构包括：衬底，此衬底为蓝宝石片；碲镉汞材料，该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层；环氧树脂胶，此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起；ZnS钝化层，该层起钝化材料表面和增透的双重作用；霍尔电极，此电极前后共四个，生长在碲镉汞材料上，用作霍尔测试和器件性能测试的信号引出电极；透明栅电极，该电极生长在ZnS钝化层上，通过此电极对器件施加栅压；加厚电极，此电极生长在透明栅电极上。该结构的探测器在器件性能测试和霍尔测试过程中均可施加栅压，获得器件性能最优时所需的栅压、材料载流子浓度、迁移率等电学参数条件，极大缩短器件的研制进程。