专利详情

专利名称	半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
申请号	CN201310302799.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103368074A	公开（授权）日	2013.10.23
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法至半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。