一种通孔结构及其制作方法
- 申请号：CN201310317725.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103367285A
- 公开(公开)日：2013.10.23
- 法律状态：专利申请权、专利权的转移
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种通孔结构及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201310317725.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103367285A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曹立强;戴风伟 |
| 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种通孔结构及其制作方法 至一种通孔结构及其制作方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种2.5D或3D封装中用于interposer转接板的TSV制作方法。该方法的特征在于，TSV结构是通过双面刻蚀和双面填充而形成。本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结构。从而解决高深宽比或超高深宽比TSV结构在形成工艺、设备、成品率以及可靠性方面的种种限制。相应的，本发明还提供了一种TSV通孔结构。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言