专利详情

专利名称	一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法
申请号	CN201310264486.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103367123A	公开（授权）日	2013.10.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法至一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。