CMOS及其制造方法
- 申请号：CN201210083460.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103367364A
- 公开(公开)日：2013.10.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | CMOS及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210083460.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103367364A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;马小龙;徐秋霞;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
| 专利有效期 | CMOS及其制造方法 至CMOS及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS，包括：第一MOSFET；第二MOSFET，与第一MOSFET类型不同；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有与第一应力类型不同的第二应力；其中，第二应力衬层与第一应力衬层材质不同，一个包括DLC，另一个包括氮化硅。依照本发明的高应力CMOS及其制造方法，采用CMOS兼容工艺分别在PMOS和NMOS上选择性形成不同的应力层，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。 | ||
交易流程
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