微波真空电子器件中电子注通过率的测量方法
- 申请号：CN201210090650.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN103364701A
- 公开(公开)日：2013.10.23
- 法律状态：著录事项变更
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专利详情
| 专利名称 | 微波真空电子器件中电子注通过率的测量方法 | ||
| 申请号 | CN201210090650.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103364701A | 公开（授权）日 | 2013.10.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 范俊杰;朱方;范旭东 |
| 主分类号 | G01R31/25(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/25(2006.01)I |
| 专利有效期 | 微波真空电子器件中电子注通过率的测量方法 至微波真空电子器件中电子注通过率的测量方法 | 法律状态 | 著录事项变更 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种微波真空器件中电子注通过率的测量方法。本方法通过测量电真空器件管体冷却水的热量变化、电子注电压波形和电子注总电流的方式来计算得到该器件的电子注通过率。该方法简单易行，通过外部功率校准系统等手段消除各种测量误差，准确度较高。采用该方法后可避免在器件的收集极部件处使用机械强度较低的陶瓷材料，从而降低制管难度，提高成品率。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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