专利详情

专利名称	一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法
申请号	CN201210102338.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103361712A	公开（授权）日	2013.10.23
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	胡章贵;涂衡
主分类号	C30B7/08(2006.01)I	IPC主分类号	C30B7/08(2006.01)I;C30B29/14(2006.01)I
专利有效期	一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法至一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架，包括上横板、下横板、两个侧柱以及籽晶杆，两个侧柱与上、下横板围成“口”字形结构，从侧柱方向看为“工”字形，籽晶杆固定于所述上横板外表面的中间位置。本发明还提供了一种大截面KDP类晶体的生长方法，采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的载晶架，对现有载晶架的结构进行了改进，减少了载晶架旋转时对溶液的扰动作用，使得生长均匀、高质量的晶体成为可能。本发明提供的KDP类晶体生长方法可以提高晶体的利用率，减少了晶体加工环节。与传统生长方法相比，具有利用率高、节约生长原料、周期短、降低成本消耗等优点。