CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法
- 申请号:CN201310300827.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院;香港中文大学
- 公开(公开)号:CN103354252A
- 公开(公开)日:2013.10.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310300827.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103354252A | 公开(授权)日 | 2013.10.16 |
| 申请(专利权)人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明(设计)人 | 程冠铭;杨春雷;鲍浪;冯叶;顾光一;徐苗苗;于冰;郭延璐;肖旭东;罗海林 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法 至CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法。该PN结的制备方法包括提供层叠有第一钼背电极层的第一衬底,制备层叠于第一钼背电极层上的铜锌锡硫薄膜或铜锌锡硒薄膜前驱体;将前驱体进行高温退火,形成吸收层薄膜;制备层叠于吸收层薄膜上的第二钼背电极层;提供第二衬底,并用粘胶将第二衬底粘结在第二钼背电极层上及分离第一衬底和第二衬底,使吸收层薄膜与第一钼背电极层分离,制备依次层叠于吸收层薄膜的远离第二钼背电极层的表面上的硫化镉缓冲层、本征氧化锌层和掺铝氧化锌层,得到PN结的步骤。本发明在吸收层临近钼背电极层的表面上制作PN结,结晶完美,化学组分合适,提高了电池效率。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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