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太阳能电池的光吸收层的制备方法

  • 申请号:CN201310277578.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院;香港中文大学
  • 公开(公开)号:CN103343318A
  • 公开(公开)日:2013.10.09
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 太阳能电池的光吸收层的制备方法
申请号 CN201310277578.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103343318A 公开(授权)日 2013.10.09
申请(专利权)人 深圳先进技术研究院;香港中文大学 发明(设计)人 杨春雷;鲍浪;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;于冰;郭延璐;徐苗苗
主分类号 C23C14/16(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/16(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 太阳能电池的光吸收层的制备方法 至太阳能电池的光吸收层的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种太阳能电池的光吸收层的制备方法,包括制备金属薄膜前驱体,金属薄膜前驱体为铜锌锡硫前驱体薄膜或铜锌锡硒前驱体薄膜;制备层叠于金属薄膜前驱体上的锡覆盖层,得到层叠有锡覆盖层的铜锌锡硫薄膜前驱体或层叠有锡覆盖层的铜锌锡硒薄膜前驱体;及在无氧条件下及硫化氢气氛中,将层叠有锡覆盖层的铜锌锡硫薄膜前驱体进行高温退火;或者在无氧条件下及硒气氛中,将层叠有锡覆盖层的铜锌锡硒薄膜前驱体进行高温退火,得到太阳能电池的光吸收层的步骤。锡覆盖层能够阻止在高温退火中金属薄膜前驱体内SnS2或SnSe2的挥发,退火后,锡覆盖层中的Sn形成SnS2或SnSe2并脱离晶体,有效抑制Sn的流失。

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