专利详情

专利名称	磁控溅射设备
申请号	CN201310279457.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103343324A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	冯叶;杨春雷;程冠铭;于冰;鲍浪;郭延璐;徐苗苗;肖旭东
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	磁控溅射设备至磁控溅射设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种磁控溅射设备，包括真空腔壁、连接轴、工作台及导电电极；真空腔壁围成真空腔；所述连接轴的一端连接于所述真空腔壁上；所述工作台收容于所述真空腔中，并设置于所述连接轴的另一端，所述工作台用于固定衬底；所述导电电极穿设所述真空腔壁，其一端与工作台相连接，所述工作台通过所述导电电极与外接电源电连接，所述外接电源通过所述导电电极向所述工作台施加高电势。上述磁控溅射设备中，工作台及衬底均处于高电势的保护之下，飞向衬底的带电正离子会受到相反方向的电场作用力影响，使带电正粒子数量和能量都大幅度减少，减弱了带电正离子对衬底表面的轰击，保护了在衬底表面沉积所得的沉积物，进而使沉积物表面较为平整，晶体质量较好。