专利详情

专利名称	硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
申请号	CN201310306847.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103346092A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法至硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法，包括：在清洗好的硅衬底上生长锗层；在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；对高温砷化镓层的表面进行抛光；退火后生长MOSFET结构，该MOSFET结构包括依次生长的GaAs缓冲层、InGaP层、InGaAs沟道层、InGaP刻蚀停止层和GaAs接触层；在一个基本单元ABCD内选区刻蚀长方形EFGH到InGaP刻蚀停止层；进行图形刻蚀InGaP刻蚀停止层、InGaAs沟道层和InGaP层，刻蚀深度到达GaAs缓冲层的表面，在EFGH的位置中的InGaAs沟道层形成有效沟道；选择性湿法腐蚀掉有效沟道下方的InGaP层；在悬空的有效沟道的周围沉积Al2O3栅；分别制作源电极、漏电极、栅电极，完成器件的制备。