专利详情

专利名称	硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法
申请号	CN201310232595.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103346070A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	韩伟华;杨晓光;杨涛;王昊;洪文婷;杨富华
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法至硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。