专利详情

专利名称	一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法
申请号	CN201310251540.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103346069A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	王维燕;王林青;黄金华;黄俊俊;曾俞衡;宋伟杰;谭瑞琴
主分类号	H01L21/203(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/203(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法至一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，采用离子束辅助磁控溅射技术，以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射，本底真空度为10?4~10?5Pa，射频功率为100~300W，溅射气体为氩气和氢气的混合气体，溅射气体总气压为0.1~0.5Pa，衬底温度为100~400℃，以高纯氩气作为辅助离子源形成氩辅助离子束，氩辅助离子束的能量为100~800eV，束流为5~30mA，在衬底的表面溅射沉积形成薄膜的同时氩辅助离子束撞击薄膜表面，得到低硼掺杂下高电导率a-Si:H氢化非晶硅薄膜；本发明制备工艺简单，成本低，适合大规模工业化生产；采用本发明方法制备的低硼掺杂的a-Si:H薄膜具有高电导率及较好的结构特性，满足硅基薄膜太阳电池窗口层材料的要求，有利于提高太阳电池性能。