专利详情

专利名称	单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器
申请号	CN201310211088.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103346475A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘建国;郭锦锦;黄宁博;孙文惠;祝宁华
主分类号	H01S5/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/12(2006.01)I
专利有效期	单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器至单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上；均匀布拉格光栅层，形成于该波导层之上；上限制层，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；刻蚀阻止层，形成于该上限制层之上；欧姆接触层，形成于该刻蚀阻止层的左端之上；P电极层，形成于该欧姆接触层之上；以及N电极层，形成于该基底的背面。利用本发明，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，实现频率的稳定性。