专利详情

专利名称	一种石墨烯导电薄膜的制备方法
申请号	CN201310263553.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103345979A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张大勇;金智;史敬元;麻芃
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B5/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I
专利有效期	一种石墨烯导电薄膜的制备方法至一种石墨烯导电薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在金属箔表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯；将沉积了氧化石墨烯的金属箔在保护气和高温条件下进行还原处理，使氧化石墨烯还原为石墨烯。本发明通过将化学气相沉积法和氧化石墨烯还原制备石墨烯法相结合，用以制备石墨烯导电薄膜，该方法得到的石墨烯薄膜不仅导电性好、透光率高，而且成本低、工艺步骤简单，可以用于大规模生产制备石墨烯透明导电薄膜。