专利详情

专利名称	光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法
申请号	CN201310254144.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103346476A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	佟存柱;田思聪;汪丽杰;邢恩博;王立军
主分类号	H01S5/125(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/125(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法至光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法，属于量子信息学领域，为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题，在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜，上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域，下电极接触层生长在衬底下面；表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成，内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半，横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配；所述量子环位于光学缺陷层中间，并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心；采用量子环作为发光介质，量子效率更高；量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。