专利详情

专利名称	相变存储单元及其制备方法
申请号	CN201310306025.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103346258A	公开（授权）日	2013.10.09
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;任堃;饶峰;宋三年;陈邦明
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	相变存储单元及其制备方法至相变存储单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供相变存储单元及其制备方法，采用厚度与单个晶胞或者多个晶胞尺度相当的相变材料层，使相变材料基本上体现出界面特性，而弱化体材料特性，以制备利用界面电阻变化来存储信息的高密度、低功耗、高速二维相变存储单元。本发明的相变材料层厚度薄及相变材料层界面上存在少量的缺陷，促使相变存储单元操作功耗的降低和操作时间的缩短，减少了每次操作过程对相变材料的损害，使每次操作对材料的元素偏析效果降低，增加了相变存储单元的最大可操作次数，从而有利于提高器件循环操作次数的能力；进一步，本发明中采用的石墨烯电极对还具有信号响应快、机械强度大、能量损耗少等特点；同时，本发明还可实现与新型CMOS的兼容。