专利详情

专利名称	硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
申请号	CN201310155802.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103337449A	公开（授权）日	2013.10.02
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	吴摞;滕大勇;李淑鑫;何微微;叶长辉
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法至硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻，制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植；或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层，把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底，再覆盖另一层导电物质，制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。