具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法
- 申请号：CN201310240641.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN103331162A
- 公开(公开)日：2013.10.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310240641.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103331162A | 公开（授权）日 | 2013.10.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王永霞;崔香枝;施剑林;陈立松 |
| 主分类号 | B01J23/75(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J23/75(2006.01)I;H01M4/90(2006.01)I |
| 专利有效期 | 具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法 至具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法，所述方法包括：将包含钴源和碳源的乙醇前驱液与具有三维立方孔道结构的介孔二氧化硅模板混合搅拌直至溶剂挥干，以通过一步纳米灌注法使所述前驱液完全灌注至所述模板的介孔孔道中从而制得前驱体/模板复合物；将所述前驱体/模板复合物进行热处理以制得Co3O4/C/模板复合物；以及用强酸或强碱去除所述Co3O4/C/模板复合物中的模板以制得所述介孔Co3O4/C复合材料。本发明的方法以具有Ia3d结构的介孔二氧化硅（KIT-6）为模板，通过简单的一步纳米灌注的方式将钴源和碳源前驱液浇注到模板的介孔孔道中，通过一定的热处理条件制备出高比表面积及孔径分布较窄的介孔Co3O4/C复合材料。 | ||
交易流程
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