专利详情

专利名称	中子探测器
申请号	CN201320198268.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203217086U	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所	发明（设计）人	孙志嘉;周健荣;陈元柏;王艳凤;杨桂安;许虹;唐彬;杨振
主分类号	G01T3/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01T3/00(2006.01)I;G01T3/08(2006.01)I
专利有效期	中子探测器至中子探测器	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种中子探测器，包括：用于提供漂移电场的漂移电极、用于对入射的中子进行转换的涂硼气体电子倍增器结构、用于对中子转换后产生的原初电子进行气体放大的气体电子倍增器结构以及用于读出放大后的电子信号的读出电极；漂移电极、涂硼气体电子倍增器结构、气体电子倍增器结构和读出电极互相平行设置且顺次排列；涂硼气体电子倍增器结构采用至少一个级联的第一气体电子倍增器膜构成，且第一气体电子倍增器膜的至少一面涂有硼层。本实用新型能够大大提高中子探测效率且计数率高，时间分辨率好，可实现更高量级的时间分辨，同时该中子探测器兼具气体探测器的优点γ抑制能力高、成本低和可大面积制作。