专利详情

专利名称	一种八晶体管静态随机存储器单元
申请号	CN201310242397.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103325788A	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;吕凯;王曦
主分类号	H01L27/11(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/11(2006.01)I
专利有效期	一种八晶体管静态随机存储器单元至一种八晶体管静态随机存储器单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。本发明与常规CMOS工艺兼容，适用于工业生产。