专利详情

专利名称	一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片
申请号	CN201310197223.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103323486A	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	崔大付;蔡浩原;李亚亭;陈兴;张璐璐;孙建海;任艳飞
主分类号	G01N25/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01N25/20(2006.01)I
专利有效期	一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片至一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种测量高电阻值材料的塞贝克系数的测试芯片。该芯片包括了芯片基底、两个温差加热电阻、两个样品固定装置、两个温度传感器。待测的高电阻值样品两端安装在两个样品固定装置间，实现良好的欧姆接触。芯片安装在塞贝克系数测试系统中，由温控装置将芯片加热到设定的测试温度。温差加热电阻按照设定的流程工作，在待测样品两端形成一定的温度梯度，高输入阻抗电压信号检测仪器采集在待测样品两端的塞贝克电压，同时，温度传感器测量待测样品两端的温度，根据测量得到的塞贝克电压信号和温差数据，可以求出被测材料的塞贝克系数。