专利详情

专利名称	表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法
申请号	CN201310193912.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103325900A	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/06(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法至表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。