专利详情

专利名称	自旋微波振荡器及其制备方法
申请号	CN201310256808.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103326100A	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	唐伟;曾中明
主分类号	H01P7/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01P7/00(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I
专利有效期	自旋微波振荡器及其制备方法至自旋微波振荡器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种自旋微波振荡器的制备方法，包括如下步骤：在氧化铝模板上制备贯穿所述氧化铝模板正面和背面的通孔，并利用磁控溅射或电子束蒸发在所述氧化铝模板背面制作导电层；采用三电极沉积系统在所述通孔内从下至上依次沉积底电极层、磁性多层膜、顶电极层；其中，所述磁性多层膜包括从下至上依次沉积的第一磁性层、非磁性隔离层、第二磁性层。本发明还提供这种自旋微波振荡器的结构。本发明的方法可以自下而上自组装高度有序的均一性很好的自旋微波振荡器阵列，并且可以同一通孔中沉积多个纳米自旋微波振荡器，形成含有多个纳米自旋微波振荡器的纳米线，增大了器件的输出功率，具有广泛的使用范围。