专利详情

专利名称	相变存储单元及其制造方法
申请号	CN201310213980.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103325940A	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;龚岳峰;刘燕;刘波
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	相变存储单元及其制造方法至相变存储单元及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储单元及其制造方法，本发明在不增加工艺复杂度的情况下，巧妙简单地在第一下电极与相变材料层之间形成具有真空孔洞的第二下电极，提高器件的加热效率促使恰好能够实现RESET操作的有效操作区域减小，不仅降低功耗，减低操作电流，尤其是减小多晶向非晶转化时的操作电流，还可以提高器件的热稳定性，其中，一方面减小器件操作对周围存储单元的串扰，提高器件密度，另一方面减小多晶向非晶转化造成成分偏析的程度，有效地提升器件良率和读写次数。从而，应用本发明相变存储单元的相变存储器具有低功耗、高密度和高热稳定性等特点，是一种可实现对信息的写入、擦除和读出功能的非易失性半导体存储器。